泛半导体工艺废气解决方案
泛半导体生产过程中大量使用的化学品与特殊气体，持续产生成分复杂的工艺废气。废气治理直接影响客户的产能利用率、产品良率，以及员工职业健康、生产环境。针对各工艺段产生的废气，盛剑环境提供一般排气、酸性、碱性、有毒、VOCs等废气系统解决方案。
光电显示
TFT-LCD的阵列、彩膜、成盒、模组工序产生大量有害废气，包括酸性、碱性、有机废气及含氟废气等。
AMOLED的阵列、模组工序产生酸性、碱性、有机等工艺废气。
集成电路
集成电路制造的核心工艺流程主要包括掺杂、光刻、刻蚀和薄膜工艺。
在硅片清洗、氧化、湿法腐蚀、干法腐蚀、离子注入、扩散、化学气相沉积等环节产生大量酸碱、砷烷、磷烷、有机等工艺废气。
酸碱废气系统
设计功能
处理IC硅片清洗，以及TFT-LCD阵列、彩膜，AMOLED阵列等生产工艺中产生的酸性、碱性污染物气体，实现达标排放。
适用废气
酸性气体磷酸、乙酸、硝酸、盐酸、氮氧化物、氟化物、硫酸、氯气等。碱性气体氢氧化钾、氨等。
工艺原理
含酸性或碱性成分的工艺废气进入洗涤塔后，在塔内循环水中产生中和反应。废气与塔内循环水以交叉逆流或垂直截流方式接触。同时通过利用循环水泵将中和药喷淋至塔内填料床，增大废气与中和液接触面积。通过使用PH计控制加药系统，液位计控制补水系统、电导度计控制排水系统，压差与压力传感器监控运行，实现对洗涤塔中循环水酸碱度、电导度等的精密控制。
系统优势
符合美国(国际材料试验协会) ASTM D3299/ASTMC582 等标准。1级火焰蔓延等级。多级处理，可同时处理不同类型废气。填料采用国外创新滴点技术，有效比表面积大、质传效率高、空隙率高、压损低、液泛速度高。
设计功能
排出洁净区工艺机台在运转过程中产生的大量热气和水汽，从而保持生产区的温湿度、洁净度。
适用废气
适用于一般工艺排气、高温排气、湿排气。
系统优势
将FAB主厂房内的一般排气、高温排气、湿排气分别收集至 SUBMAIN 管，汇总至室外的HEADER 管，通过排气风机排放至大气中。
一般排气系统
前置废气处理装置
LOCAL VOC
设计功能
吸附浓缩IC、光电产业生产过程中，黄光区内光阻涂布等制程工艺挥发的有机物，并输送至后序中央有机排气系统集中处理。避免VOCs在洁净间环境内积聚，影响产品良品率。
适用于含PGMEA、PGME、IPA、环己酮等为主的有机挥发性气体。
恒温恒湿洁净环境，处理效率≥98%。
工艺原理
集成过滤器、沸石转轮与电加热器。沸石吸附浓缩洁净间废气中VOCs成分，经电加热器加热脱附，恢复吸附能力，持续吸脱附。经沸石浓缩的VOCs进入下一步工序。
LOCAL SCRUBBER
设计功能
前置处理薄膜、刻蚀、离子注入，扩散、外延等工艺机台在制程中排出的剧毒、易燃易爆及温室气体等有害气体。经处理的废气进入后段有毒、酸碱等系统进行二次处理，实现达标排放。
适用废气
适用于泛半导体工业制程废气前端处理领域，含氟、氯、硅、氮、氢等元素为代表的温室气体，以及剧毒性、易燃性有害气体。
工艺原理
工艺机台产生的有害废气经真空管道及附属工艺真空设备，被导入内部反应腔，进行燃烧或高温分解。经燃烧或高温分解后的附产物，进入后序装置进行二次处理（干式吸附除外），从而达到安全可靠集中收集、集中处理的目的。
系统优势
高效处理大容量 SiH4,H2,NH3,PFCs等有害废气。
根据所处工艺状态点，自动适配最佳功率。
三挡功率模式自动切换，极速升降温，最大限度缩短预热、保养用时，增加投入运营时间。
盛剑系统服务
盛剑同时提供后序酸碱系统、有毒系统等中央系统服务，实现从本地处理到最终达标排放的系统解决方案。
有毒废气系统
TFT-LCD、AMOLED等行业在CVD、干刻蚀、扩散、离子植入等生产工艺中，产生含粉尘、NOx、氟化物等有毒性污染物气体。
相应气体经盛剑 LOCAL SCRUBBER 前置处理后，再进行除尘、酸碱中和及氧化还原处理，以满足达标排放要求。
弹匣式除尘系统
设计功能
有效过滤经 LOCAL SCRUBBER 处理后的干燥含尘废气，过滤后废气进入后续NOx等处理工序。
适用废气
氟化物（尘氟）、二氧化硅、塑胶粉尘等。
工艺原理
含尘废气自顶部进入集尘机，颗粒粗大的尘粒，在重力和惯性力作用下，沉降落入灰斗。
颗粒细小的尘粒经过滤筒时，沉积在滤筒滤料表面，经吹扫落入灰斗。
系统优势
粉尘 ≥ 0.3μm，处理效率达99%；低能耗，压力控制稳定，可连续运行。
湿式静电除尘系统
设计功能
有效去除经 LOCAL SCRUBBER 处理后，含尘腐蚀性废气中的酸雾和粉尘颗粒物。过滤后废气进入后续处理工序。
适用废气
适用于氟化物（尘氟）、二氧化硅、塑胶粉尘、白烟等。
工艺原理
使含尘腐蚀性废气中的酸雾雾滴和粉尘粒子荷电，并在电场力作用下运动至集尘板，再释放其电子，以集聚酸雾及尘粒；经连续水幕冲洗集尘板，酸雾及粉尘流入集液装置，实现深度除雾、除尘；定期冲洗阴极系统及内部其他装置，预防粉尘残留。
系统优势
尘粒 ≥ 0.05μm，滤除效率 ≥ 99%；低压损低能耗，可连续性自动操作。
氮氧化物废气处理系统
设计功能
有效去除废气中氮氧化物及其引起的黄烟问题。
工艺原理
添加化学药剂进行氧化与还原反应，根据废气成分、浓度组合设计1-3级洗涤塔：
第1级，氧化塔，添加H2SO4，NaClO2等氧化NO；
第2级，还原塔，添加NaOH,NaHS等还原NO2；
第3级，吸收塔，吸收H2S。
系统优势
可有效解决氮氧化物引起的黄烟问题；可选双 PH和ORP计设计，确保系统稳定可靠。
VOCs处理系统
冷凝处理系统
设计功能
去除高纯度高价值油品和化学品废气中的VOCs成分，实现化学品提纯回收；收集高沸点有机物，进入后序处理工序。
工艺原理
通过装置中的制冷源及热交换器对高纯化学品废气进行两级冷凝，水汽及大部分VOCs凝结成液滴排出，实现化学品提纯；有机废气中高沸点有机物如NMF、BDG等，经冷凝成为液滴，进入下一段处理工序。
系统优势
冷凝器采用精密除雾器，去除 ≥ 0.5μm雾滴，效率达99%。
沸石转轮浓缩系统
设计功能
持续吸附、高效浓缩大风量低浓度VOCs，转化成小风量高浓度废气，以降低后序热力氧化等工艺段处理装置的规格，节约VOCs治理系统整体投资与运行成本。根据设计要求，可提供筒式、盘式转轮。
适用废气
苯、醇、烷烃、醚、酮、酯类等。适用于浓度 ≤1g/m3, 浓缩倍率 4-40倍，单设备处理效率 90%-97%。
工艺原理
沸石为蜂窝状吸附材料，具低温吸附、高温脱附特点。含VOCs废气进入转轮，沸石吸附浓缩其中VOCs成分，洁净气体达标排放。已吸附VOCs的沸石模块经高温脱附，恢复吸附能力并转至吸附区，持续吸脱附。经沸石浓缩的VOCs进入下一步工序。
系统优势
丰富的转轮制造与技术升级整合经验；可持续稳定运行，安全性能可靠。
盛剑系统服务
转轮脱附区供热与盛剑焚烧炉余热回收集成系统成熟，可有效利用热能，优化整体控制；盛剑转轮+热力氧化系统已交付 > 100套；空间有限，建议采用盛剑VOCs净化一体机“玲珑”，已集成沸石转轮与催化氧化工艺，极大节省空间；高沸点有机物与回收需求，建议集成盛剑冷凝系统。
蓄热式焚烧系统 RTO
设计功能
高温燃烧VOCs，裂解为CO2和H2O，达标排放。采用陶瓷蓄热材料，节省废气预热、升温的燃料消耗，回收余热。可根据要求，设计三塔、双塔及旋转RTO。
适用废气
苯、醇、烷烃、醚、酮、酯类等。适用风量 > 2000Nm3/h 工况，处理效率≥98%，热回收率 ≥ 95%。
工艺原理
VOCs在切换阀控制下，进入RTO陶瓷蓄热体。经蓄热陶瓷放热及补充热能，废气升温至700℃-1000 ℃的裂解高温，分解成CO2和H2O。进气浓度足够高时，浓度 ≥ 2g/m3，无需额外补充热能。
盛剑系统服务
三塔式、双塔式、旋转蓄热氧化系统广泛应用于VOCs废气治理不同领域，可针对不同工况设计前序、后序工艺段，并回收热能；低浓度废气，建议前序增加盛剑沸石转轮吸附浓缩系统，降低运行成本；小风量、小空间设计需求，建议采用盛剑直燃式焚烧系统。
直燃式焚烧系统 TO
设计功能
高温燃烧VOCs，裂解为CO2和H2O，实现达标排放。
适用废气
极强普适性。适用于苯、醇、烷 ，高浓度VOCs废气的氧化分解，包括含有机硅及颗粒物的废气处理。适用浓度≥ 1g/m3，处理效率≥ 99%。
工艺原理
焚烧炉内气流经燃烧机加热升温至700℃-1000℃，达到VOCs热氧化反应温度；导入VOCs，在焚烧炉反应室内经高温裂解，达标排放。
盛剑系统服务
根据不同工艺产生的VOCs成分及具体工况，设计直燃式、蓄热式等热力氧化方案。
针对含有机硅及颗粒物VOCs，提供直燃式焚烧炉专项设计方案；针对低浓度废气，设计前序沸石转轮等吸附浓缩系统，降低投资运行成本。
